Ce projet est un oscillateur d'impulsions qui imite le bruit d'une mitrailleuse ou d'un moteur de motocyclette à un cylindre. Le réglage du contrôle 50K vous permet d'obtenir quelques impulsions à la seconde ou une douzaine et plus.
Le circuit oscillateur de base est exactement identique à celui du projet Générateur audiofréquence à impulsion section Oscillateur sauf pour l'addition de la diode au silicium (Si), du changement de valeur du condensateur de base de 0.05 uF et du changement de tension d'alimentation de 3 à 9 volts. Nous avons aussi retourné le circuit au schéma. Un technicien en électronique doit s'habituer à reconnaitre les types de circuits de base quelle que soit la position du schéma.
Considérons la raison d'inclure la diode au silicium à ce projet mais non au projet Générateur audiofréquence à impulsion. Souvenez-vous que durant la génération de l'impulsion, le condensateur de base (un 0.1 uF dans ce circuit) est rapidement chargé par la pile et induit à la partie supérieure du transformateur une tension supérieure du 9 volts de la pile.
Sans la diode au silicium le courant qui doit passer à la base du transistor est excessif (environ 80 mA pour ce circuit). Ceci ne serait pas un problème pour des condensateurs de basses valeurs, mais la haute valeur requise pour obtenir les impulsions à basse fréquence (un 10 uF ici) cause tellement de courant total que le transistor pourrait être ruiné.
La diode au silicium en parallèle à la jonction B-E du transistor permet un second chemin pour le courant de sorte que le courant de base du transistor est limité à un maximum d'environ 20 mA (une valeur sans danger pour les impulsions créées). La diode n'infère pas au fonctionnement normal à cause de ses caractéristiques de conduction hâtée.
II faut environ 0,3 volt de tension à une diode au silicium avant que le flux de courant ne soit initié, mais une fois que le flux de courant est initié, le courant peut être augmenté de beaucoup sans que la tension à la diode augmente pour la peine.
La jonction B-E du transistor, pendant ce temps, commence à conduire à environ 0.1 volt, mais augmente en tension de façon plus rapide que la diode au silicium le fait. Le résultat est que par le temps que le courant maximum de la jonction B-E du transistor passe, la diode au silicium a commencé à conduire. Le courant excessif est alors conduit par la diode qui en a la possibilité sans souffrir de dommage.
Pour expérimenter, essayez différentes valeurs de condensateur à la place du 10 uF. Assurez-vous d'observer la bonne polarité des condensateurs marqués d'un signe ( + ).
